昨日臺積電官方宣布，16nmFinFETPlus（簡稱16FF+）工藝已經開始風險性試產。

        16FF+是標準的16nmFinFET的增強版本，同樣有立體晶體管技術在內，號稱可比20nmSoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。

        臺積電表示，該工藝已經在ARM64位架構上通過了驗證，Cortex-A57大核心能夠跑到2.3GHz，Cortex-A53小核心則能做到75mW。

        更關鍵的是，良品率也正在穩(wěn)步提升，同期技術成熟度相比臺積電此前所有工藝也是最好的。

        臺積電稱，16FF+工藝將在11月底按計劃通過全部可靠性驗證，已有近60項客戶芯片設計安排在2015年底前完成流片。

        根據良品率和性能情況，臺積電預計新工藝將在2015年7月左右開始大規(guī)模量產。

        Avago、飛思卡爾、LG、聯(lián)發(fā)科、NVIDIA、瑞薩電子、Xilinx都站出來表達了對臺積電16FF+工藝的支持，表明他們都正在準備相應的產品，特別是NVIDIA出來發(fā)言的是GeForce業(yè)務部門高級副總裁JeffFisher——16nmN卡明年見！

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