另一方面，對(duì)襯墊的壓力不應(yīng)大到使襯墊處于非正常壓縮狀態(tài)，因?yàn)榇藭r(shí)會(huì)導(dǎo)致襯墊接觸失效，并可能產(chǎn)生電磁泄漏。與墊片分離的要求對(duì)于將襯墊壓縮控制在制造商建議范圍非常重要，這種設(shè)計(jì)需要確保墊片具有足夠的硬度，以免在墊片緊固件之間產(chǎn)生較大彎曲。在某些情況下，可能需要另外一些緊固件以防止外殼結(jié)構(gòu)彎曲。

        此式僅適用于近磁場(chǎng)環(huán)境并且吸收損耗小于10dB的情況。由于屏蔽物吸收效率不高，其內(nèi)部的再反射會(huì)使穿過屏蔽層另一面的能量增加，所以校正因子是個(gè)負(fù)數(shù)，表示屏蔽效率的下降情況。

        B=20lg［-exp（-2t/σ）］

        反射損耗隨波阻與屏蔽阻抗的比率變化，因此它不僅取決于波的類型，而且找訂單取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用于小型帶屏蔽的設(shè)備。

        EMC問題常常是制約中國(guó)電子產(chǎn)品出口的一個(gè)原因，本文主要論述EMI的來(lái)源及一些非常具體的抑制方法。

電磁兼容性（EMC）是指“一種器件、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時(shí)不會(huì)對(duì)此環(huán)境中任何其他設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)烈電磁干擾（IEEEC63.12-1987）�！睂�(duì)于無(wú)線收發(fā)設(shè)備來(lái)說，采用非連續(xù)頻譜可部分實(shí)現(xiàn)EMC性能，但是很多有關(guān)的例子也表明EMC并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測(cè)試設(shè)備之間、打印機(jī)和臺(tái)式電腦之間以及蜂窩電話和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾（EMI）。找訂單

        EMC問題來(lái)源

        所有電器和電子設(shè)備工作時(shí)都會(huì)有間歇或連續(xù)性電壓電流變化，有時(shí)變化速率還相當(dāng)快，這樣會(huì)導(dǎo)致在不同頻率內(nèi)或一個(gè)頻帶間產(chǎn)生電磁能量，而相應(yīng)的電路則會(huì)將這種能量發(fā)射到周圍的環(huán)境中。

        EMI有兩條途徑離開或進(jìn)入一個(gè)電路：輻射和傳導(dǎo)。信號(hào)輻射是通過外殼的縫、槽、開孔或其他缺口泄漏出去；而信號(hào)傳導(dǎo)則通過耦合到電源、信號(hào)和控制線上離開外殼，在開放的空間中自由輻射，從而產(chǎn)生干擾。

        很多EMI抑制都采用外殼屏蔽和縫隙屏蔽結(jié)合的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，大多數(shù)時(shí)候下面這些簡(jiǎn)單原則可以有助于實(shí)現(xiàn)EMI屏蔽：從源頭處降低干擾；通過屏蔽、過濾或接地將干擾產(chǎn)生電路隔離以及增強(qiáng)敏感電路找訂單的抗干擾能力等。EMI抑制性、隔離性和低敏感性應(yīng)該作為所有電路設(shè)計(jì)人員的目標(biāo)，這些性能在設(shè)計(jì)階段的早期就應(yīng)完成。

        對(duì)設(shè)計(jì)工程師而言，采用屏蔽材料是一種有效降低EMI的方法。如今已有多種外殼屏蔽材料得到廣泛使用，從金屬罐、薄金屬片和箔帶到在導(dǎo)電織物或卷帶上噴射涂層及鍍層（如導(dǎo)電漆及鋅線噴涂等）。無(wú)論是金屬還是涂有導(dǎo)電層的塑料，一旦設(shè)計(jì)人員確定作為外殼材料之后，就可著手開始選擇襯墊。

        金屬屏蔽效率

        可用屏蔽效率（SE）對(duì)屏蔽罩的適用性進(jìn)行評(píng)估，其單位是分貝，計(jì)算公式為：

        SEdB=A+R+B

        其中A：吸收損耗（dB）R：反射損耗（dB）B：校正因子（找訂單dB）（適用于薄屏蔽罩內(nèi)存在多個(gè)反射的情況）

        一個(gè)簡(jiǎn)單的屏蔽罩會(huì)使所產(chǎn)生的電磁場(chǎng)強(qiáng)度降至最初的十分之一，即SE等于20dB；而有些場(chǎng)合可能會(huì)要求將場(chǎng)強(qiáng)降至為最初的十萬(wàn)分之一，即SE要等于100dB。

        吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時(shí)能量損耗的數(shù)量，吸收損耗計(jì)算式為：

        AdB=1.314（f×σ×μ）1/2×t

        其中f：頻率（MHz）μ：銅的導(dǎo)磁率σ：銅的導(dǎo)電率t：屏蔽罩厚度

        反射損耗（近場(chǎng)）的大小取決于電磁波產(chǎn)生源的性質(zhì)以及與波源的距離。對(duì)于桿狀或直線形發(fā)射天線而言，離波源越近波阻越高，然后隨著與波源距離的增加而下降，但平面波阻則無(wú)變化（恒為37找訂單7）。

        相反，如果波源是一個(gè)小型線圈，則此時(shí)將以磁場(chǎng)為主，離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加，但當(dāng)距離超過波長(zhǎng)的六分之一時(shí)，波阻不再變化，恒定在377處。

        近場(chǎng)反射損耗可按下式計(jì)算：

        R（電）dB=321.8-（20×lgr）-（30×lgf）-［10×lg（μ/σ）］

        R（磁）dB=14.6+（20×lgr）+（10×lgf）+［10×lg（μ/σ）］

        其中r：波源與屏蔽之間的距離。

        SE算式最后一項(xiàng)是校正因子B，其計(jì)算公式為：

        只有如金屬和鐵之類導(dǎo)磁率高的材料才能在極低頻率下達(dá)到較高屏蔽效率。這些材料的導(dǎo)磁率會(huì)找訂單隨著頻率增加而降低，另外如果初始磁場(chǎng)較強(qiáng)也會(huì)使導(dǎo)磁率降低，還有就是采用機(jī)械方法將屏蔽罩作成規(guī)定形狀同樣會(huì)降低導(dǎo)磁率。綜上所述，選擇用于屏蔽的高導(dǎo)磁性材料非常復(fù)雜，通常要向EMI屏蔽材料供應(yīng)商以及有關(guān)咨詢機(jī)構(gòu)尋求解決方案。

        在高頻電場(chǎng)下，采用薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達(dá)到良好的屏蔽效果，但條件是屏蔽必須連續(xù)，并將敏感部分完全遮蓋住，沒有缺口或縫隙（形成一個(gè)法拉第籠）。然而在實(shí)際中要制造一個(gè)無(wú)接縫及缺口的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多個(gè)部分進(jìn)行制作，因此就會(huì)有縫隙需要接合，另外通常還得在屏蔽罩上打孔以便安裝與插卡或裝配組件的連線。

        設(shè)計(jì)屏蔽罩的困難在于制造過程中不可找訂單避免會(huì)產(chǎn)生孔隙，而且設(shè)備運(yùn)行過程中還會(huì)需要用到這些孔隙。制造、面板連線、通風(fēng)口、外部監(jiān)測(cè)窗口以及面板安裝組件等都需要在屏蔽罩上打孔，從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不可避免，但在屏蔽設(shè)計(jì)中對(duì)與電路工作頻率波長(zhǎng)有關(guān)的溝槽長(zhǎng)度作仔細(xì)考慮是很有好處的。

        任一頻率電磁波的波長(zhǎng)為：波長(zhǎng)（λ）=光速（C）/頻率（Hz）

        當(dāng)縫隙長(zhǎng)度為波長(zhǎng)（截止頻率）的一半時(shí)，RF波開始以20dB/10倍頻（1/10截止頻率）或6dB/8倍頻（1/2截止頻率）的速率衰減。通常RF發(fā)射頻率越高衰減越嚴(yán)重，因?yàn)樗�的波長(zhǎng)越短。當(dāng)涉及到最高頻率時(shí)，必須要考慮可能會(huì)出現(xiàn)的任何諧波，不過實(shí)際上只需考慮一次找訂單及二次諧波即可。

        一旦知道了屏蔽罩內(nèi)RF輻射的頻率及強(qiáng)度，就可計(jì)算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如如果需要對(duì)1GHz（波長(zhǎng)為300mm）的輻射衰減26dB，則150mm的縫隙將會(huì)開始產(chǎn)生衰減，因此當(dāng)存在小于150mm的縫隙時(shí)，1GHz輻射就會(huì)被衰減。所以對(duì)1GHz頻率來(lái)講，若需要衰減20dB，則縫隙應(yīng)小于15mm（150mm的1/10），需要衰減26dB時(shí)，縫隙應(yīng)小于7.5mm（15mm的1/2以上），需要衰減32dB時(shí)，縫隙應(yīng)小于3.75mm（7.5mm的1/2以上）。

        可采用合適的導(dǎo)電襯墊使縫隙大小限定在規(guī)定尺寸內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)這種衰減效果。

        屏蔽設(shè)計(jì)難找訂單點(diǎn)

        由于接縫會(huì)導(dǎo)致屏蔽罩導(dǎo)通率下降，因此屏蔽效率也會(huì)降低。要注意低于截止頻率的輻射其衰減只取決于縫隙的長(zhǎng)度直徑比，例如長(zhǎng)度直徑比為3時(shí)可獲得100dB的衰減。在需要穿孔時(shí)，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波導(dǎo)特性；另一種實(shí)現(xiàn)較高長(zhǎng)度直徑比的方法是附加一個(gè)小型金屬屏蔽物，如一個(gè)大小合適的襯墊。上述原理及其在多縫情況下的推廣構(gòu)成多孔屏蔽罩設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。

        多孔薄型屏蔽層：多孔的例子很多，比如薄金屬片上的通風(fēng)孔等等，當(dāng)各孔間距較近時(shí)設(shè)計(jì)上必須要仔細(xì)考慮。下面是此類情況下屏蔽效率計(jì)算公式：

        SE=［20lg（fc/o/σ）］-10lgn

        其中fc/o：截止頻率n：孔洞數(shù)找訂單目

        注意此公式僅適用于孔間距小于孔直徑的情況，也可用